![BFQ19SH6327XTSA1 BFQ19SH6327XTSA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/906/448-SOT-89.jpg)
BFQ19SH6327XTSA1 Infineon Technologies
![Infineon-BFQ19S-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431400ef6801142683f6870630](/images/adobe-acrobat.png)
Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 7dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 120mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V
Frequency - Transition: 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT89
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 19.94 грн |
2000+ | 17.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFQ19SH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFQ19SH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5.5 GHz, 1 W, 120 mA, SOT-89, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 120mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 5.5GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BFQ19SH6327XTSA1 за ціною від 15.42 грн до 78.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BFQ19SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFQ19SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 14530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFQ19SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFQ19SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFQ19SH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 120mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 5.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFQ19SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFQ19SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFQ19SH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 0.12A; 1W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 0.12A Power dissipation: 1W Case: SOT89 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 5.5GHz |
на замовлення 231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFQ19SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 7dB Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 120mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V Frequency - Transition: 5.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT89 |
на замовлення 5769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFQ19SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 14577 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFQ19SH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 0.12A; 1W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 0.12A Power dissipation: 1W Case: SOT89 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 5.5GHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 231 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFQ19SH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 120mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 5.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
BFQ19SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 505 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BFQ19SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
![]() |
на замовлення 245 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
BFQ19SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |