Продукція > INFINEON > BFP843FH6327XTSA1
BFP843FH6327XTSA1

BFP843FH6327XTSA1 INFINEON


Infineon-BFP843F-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896e2564ec2 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP843FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 55mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+18.92 грн
500+ 13.79 грн
1000+ 9.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFP843FH6327XTSA1 INFINEON

Description: INFINEON - BFP843FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSFP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 55mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125mW, Bauform - Transistor: TSFP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції BFP843FH6327XTSA1 за ціною від 9.85 грн до 36.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BFP843FH6327XTSA1 BFP843FH6327XTSA1 Виробник : INFINEON Infineon-BFP843F-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896e2564ec2 Description: INFINEON - BFP843FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 55mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+29.63 грн
31+ 25.33 грн
100+ 18.92 грн
500+ 13.79 грн
1000+ 9.85 грн
Мінімальне замовлення: 27
BFP843FH6327XTSA1 BFP843FH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BFP843F-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896e2564ec2 Description: RF TRANS NPN 2.25V TSFP-4-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 25dB
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 55mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.19 грн
10+ 29.47 грн
100+ 20.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFP843FH6327XTSA1 BFP843FH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bfp843f-ds-v02_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive 4-Pin TSFP T/R
товар відсутній
BFP843FH6327XTSA1 BFP843FH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BFP843F-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896e2564ec2 Description: RF TRANS NPN 2.25V TSFP-4-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 25dB
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 55mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1
товар відсутній
BFP843FH6327XTSA1 BFP843FH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BFP843F_DS_v02_00_EN-1840593.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
товар відсутній