BFP842ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 26dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 2.5V
Frequency - Transition: 60GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 3.5GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 26dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 2.5V
Frequency - Transition: 60GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 3.5GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 13.08 грн |
6000+ | 11.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP842ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT343, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-82A, SOT-343, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 26dB, Power - Max: 120mW, Current - Collector (Ic) (Max): 40mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.7V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 2.5V, Frequency - Transition: 60GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 3.5GHz, Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2, Part Status: Active.
Інші пропозиції BFP842ESDH6327XTSA1 за ціною від 10.58 грн до 39.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BFP842ESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 26dB Power - Max: 120mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 2.5V Frequency - Transition: 60GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 3.5GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active |
на замовлення 7859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFP842ESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS |
на замовлення 7759 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFP842ESDH6327XTSA1 Код товару: 143195 |
Транзистори > ВЧ |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
BFP842ESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
товар відсутній |