BFP840FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP840FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 35mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75mW, Bauform - Transistor: TSFP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 85GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BFP840FESDH6327XTSA1 за ціною від 10.23 грн до 58.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFP840FESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS |
на замовлення 11943 шт: термін постачання 91-100 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFP840FESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 35dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V Frequency - Transition: 85GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1 |
на замовлення 10562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFP840FESDH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 35mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 85GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BFP840FESDH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 35mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 85GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| BFP840FESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
Транз. Бипол. ВЧ NPN TSFP-4 Uceo=2,6V; Ic=0,035A; f=85GHz; Ptot=0,075W; hfemin=150, Nf=0.75dB @ 5.5GHz |
на замовлення 116 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
BFP840FESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT 2.25V 0.035A Automotive 4-Pin TSFP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BFP840FESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BFP840FESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BFP840FESDH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 35dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V Frequency - Transition: 85GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1 |
товар відсутній |