BFP840ESDH6327XTSA1

BFP840ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies


infineon-bfp840esd-ds-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
на замовлення 378000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFP840ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFP840ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 80 GHz, 75 mW, 35 mA, SOT-343, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 35mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75mW, Bauform - Transistor: SOT-343, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 80GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BFP840ESDH6327XTSA1 за ціною від 10.58 грн до 42.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BFP840ESDH6327XTSA1 BFP840ESDH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0009690055-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP840ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 80 GHz, 75 mW, 35 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 80GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+22.71 грн
500+ 17.71 грн
1000+ 10.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFP840ESDH6327XTSA1 BFP840ESDH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BFP840ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896bcab4eb6 Description: RF TRANS NPN 2.25V 80GHZ SOT343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V
Frequency - Transition: 80GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB @ 5.5GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
на замовлення 1856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.63 грн
10+ 30.49 грн
25+ 28.45 грн
100+ 21.35 грн
250+ 19.83 грн
500+ 16.78 грн
1000+ 12.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFP840ESDH6327XTSA1 BFP840ESDH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BFP840ESD_DS_v02_00_EN-1771107.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
на замовлення 2159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+39.83 грн
11+ 31.56 грн
100+ 20.24 грн
500+ 17 грн
1000+ 13.26 грн
3000+ 11.36 грн
9000+ 10.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFP840ESDH6327XTSA1 BFP840ESDH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0009690055-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP840ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 80 GHz, 75 mW, 35 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 80GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+42.97 грн
24+ 33.95 грн
100+ 22.71 грн
500+ 17.71 грн
1000+ 10.92 грн
Мінімальне замовлення: 19
BFP840ESDH6327XTSA1 BFP840ESDH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bfp840esd-ds-v02_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
товар відсутній
BFP840ESDH6327XTSA1 BFP840ESDH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bfp840esd-ds-v02_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
товар відсутній
BFP840ESDH6327XTSA1 BFP840ESDH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bfp840esd-ds-v02_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
товар відсутній
BFP840ESDH6327XTSA1 BFP840ESDH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bfp840esd-ds-v02_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
товар відсутній
BFP840ESDH6327XTSA1 BFP840ESDH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bfp840esd-ds-v02_00-en.pdf Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
товар відсутній
BFP840ESDH6327XTSA1 BFP840ESDH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BFP840ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896bcab4eb6 Description: RF TRANS NPN 2.25V 80GHZ SOT343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V
Frequency - Transition: 80GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB @ 5.5GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
товар відсутній