BFP640H6327XTSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - BFP640H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP640H6327XTSA1 INFINEON
Description: INFINEON - BFP640H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 50mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-343, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Fuse Kits, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 40GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BFP640H6327XTSA1 за ціною від 10.66 грн до 40.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFP640H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 40GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFP640H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP640H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP640H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 40GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFP640H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 4.1V; 50mA; 0.2W; SOT343 Type of transistor: NPN Technology: SiGe:C Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 4.1V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.2W Case: SOT343 Current gain: 110...270 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 42GHz |
на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP640H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT343-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 40GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active |
на замовлення 28049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFP640H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 4.1V; 50mA; 0.2W; SOT343 Type of transistor: NPN Technology: SiGe:C Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 4.1V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.2W Case: SOT343 Current gain: 110...270 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 42GHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2930 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFP640H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
на замовлення 52347 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFP640H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BFP640H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
товар відсутній |