![BFP405FH6327XTSA1 BFP405FH6327XTSA1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/187997cf295a3d1841e636a43041719e18c1082f/tsfp-4.jpg)
BFP405FH6327XTSA1 Infineon Technologies
![8541infineon_lna_bfp405f.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b291f205c5f.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.025A 75mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1112+ | 11.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP405FH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP405FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 55 mW, 12 mA, TSFP, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 60hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 12mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 55mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 55mW, Bauform - Transistor: TSFP, Bauform - HF-Transistor: TSFP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5V, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 12mA, Übergangsfrequenz: 25GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BFP405FH6327XTSA1 за ціною від 8.47 грн до 32.05 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BFP405FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFP405FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFP405FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFP405FH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 60hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 12mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 55mW euEccn: NLR Verlustleistung: 55mW Bauform - Transistor: TSFP Bauform - HF-Transistor: TSFP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 12mA Übergangsfrequenz: 25GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFP405FH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 12mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 55mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 25GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFP405FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22.5dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz |
на замовлення 2630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BFP405FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
BFP405FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
BFP405FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22.5dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
BFP405FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |