![BFP196WE6327 BFP196WE6327](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5442/MFG_IFEINFBAS12507WH6327XTSA1.jpg)
BFP196WE6327 Infineon Technologies
![SIEMD096-1245.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB ~ 19dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V
Frequency - Transition: 7.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
Part Status: Active
на замовлення 32200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2077+ | 9.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP196WE6327 Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-82A, SOT-343, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 12.5dB ~ 19dB, Power - Max: 700mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V, Frequency - Transition: 7.5GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT343-4, Part Status: Active.
Інші пропозиції BFP196WE6327
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
BFP196WE6327 | Виробник : INFINEON |
![]() |
на замовлення 3010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
BFP196WE-6327 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
![]() |
BFP196WE6327 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |