Технічний опис BFG35,115
Description: RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 175°C (TJ), Power - Max: 1W, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 10V, Frequency - Transition: 4GHz, Supplier Device Package: SC-73, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції BFG35,115
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
BFG35,115 |
![]() |
на замовлення 20 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||
![]() |
BFG35,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
BFG35,115 | Виробник : NXP USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 10V Frequency - Transition: 4GHz Supplier Device Package: SC-73 Part Status: Obsolete |
товар відсутній |
|
![]() |
BFG35,115 | Виробник : NXP USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 10V Frequency - Transition: 4GHz Supplier Device Package: SC-73 Part Status: Obsolete |
товар відсутній |
|
![]() |
BFG35,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |
|
BFG35,115 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товар відсутній |