![BF998E6327HTSA1 BF998E6327HTSA1](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE4CP4-40.jpg)
BF998E6327HTSA1 INFINEON
![SIEMD073-229.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0](/images/adobe-acrobat.png)
Description: INFINEON - BF998E6327HTSA1 - HF-FET-Transistor, 12 V, 30 mA, 200 mW, TO-252
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: -
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 44.87 грн |
500+ | 40.87 грн |
1500+ | 36.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BF998E6327HTSA1 INFINEON
Description: INFINEON - BF998E6327HTSA1 - HF-FET-Transistor, 12 V, 30 mA, 200 mW, TO-252, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: -, Betriebsfrequenz, min.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BF998E6327HTSA1 за ціною від 36.92 грн до 46.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BF998E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: - Betriebsfrequenz, min.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BF998E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
BF998E6327HTSA1 Код товару: 186408 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
![]() |
BF998E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
BF998E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
BF998E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Current Rating (Amps): 30mA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 45MHz Configuration: N-Channel Gain: 28dB Technology: MOSFET (Metal Oxide) Noise Figure: 2.8dB Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D Part Status: Last Time Buy Voltage - Rated: 12 V Voltage - Test: 8 V Current - Test: 10 mA |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
BF998E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Current Rating (Amps): 30mA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 45MHz Configuration: N-Channel Gain: 28dB Technology: MOSFET (Metal Oxide) Noise Figure: 2.8dB Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D Part Status: Last Time Buy Voltage - Rated: 12 V Voltage - Test: 8 V Current - Test: 10 mA |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
BF998E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |