![BDP953H6327XTSA1 BDP953H6327XTSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2016/5/9/3/37/31/228/smn_/manual/sot223.jpg)
BDP953H6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 20.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BDP953H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 100V 3A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 5 W.
Інші пропозиції BDP953H6327XTSA1 за ціною від 25.04 грн до 73.49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BDP953H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BDP953H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BDP953H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BDP953H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BDP953H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BDP953H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 5 W |
товар відсутній |