BD682G ON Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 29.1 грн |
| 2500+ | 27.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD682G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BD682G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 40 W, 4 A, TO-225, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 40W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-225, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 4A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BD682G за ціною від 24.88 грн до 80.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BD682G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS PNP DARL 100V 4A TO126Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 40 W |
на замовлення 379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BD682G | Виробник : onsemi |
Darlington Transistors 4A 100V 40W PNP |
на замовлення 3516 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BD682G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD682G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 40 W, 4 A, TO-225, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 40W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-225 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 4A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BD682G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BD682G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BD682G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |