![BD681G BD681G](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/3F/3E/00/00/0/58355_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=2dac070dc52aa3fd5808bf9c21b4699e051ebfda)
BD681G ONSEMI
![BD681G.PDF](/images/adobe-acrobat.png)
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 4A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 45.23 грн |
25+ | 37.66 грн |
28+ | 29.98 грн |
77+ | 28.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD681G ONSEMI
Description: TRANS NPN DARL 100V 4A TO126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V, Supplier Device Package: TO-126, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 40 W.
Інші пропозиції BD681G за ціною від 20.48 грн до 90.24 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BD681G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BD681G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BD681G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 4A; 40W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 4A Power dissipation: 40W Case: TO225 Mounting: THT Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 870 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BD681G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BD681G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BD681G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 15795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BD681G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 40 W |
на замовлення 1854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BD681G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BD681G | Виробник : ONSEMI |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 750 Verlustleistung Pd: 40 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-225 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 4 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товар відсутній |