![BD676G BD676G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5883/MFG_488%7E77-09%7E%7E3.jpg)
BD676G onsemi
![bd676-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRANS PNP DARL 45V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 7923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
774+ | 27.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD676G onsemi
Description: TRANS PNP DARL 45V 4A TO126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP - Darlington, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V, Supplier Device Package: TO-126, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 40 W.
Інші пропозиції BD676G за ціною від 39.48 грн до 39.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BD676G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Transistormontage: Durchsteckmontage Anzahl der Pins: 3Pin(s) Wandlerpolarität: PNP euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
BD676G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
![]() |
BD676G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
BD676G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 40 W |
товар відсутній |
|||||
![]() |
BD676G | Виробник : onsemi |
![]() |
товар відсутній |