BD442G

BD442G ON Semiconductor


bd438-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 12
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BD442G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 80V 4A TO126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-126, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 36 W.

Інші пропозиції BD442G за ціною від 24.18 грн до 142.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BD442G BD442G Виробник : onsemi bd438-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 36 W
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
924+28.54 грн
Мінімальне замовлення: 924
BD442G BD442G Виробник : ON Semiconductor bd438-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+57.05 грн
13+ 49.03 грн
100+ 40.36 грн
Мінімальне замовлення: 11
BD442G BD442G Виробник : onsemi BD438_D-2310160.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 36W PNP
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+73.34 грн
10+ 59.07 грн
100+ 45.51 грн
500+ 33.8 грн
1000+ 26.41 грн
2500+ 24.81 грн
5000+ 24.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
BD442G BD442G Виробник : ONSEMI BD436-8,BD440-2.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 36W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 36W
Case: TO225
Current gain: 15...475
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 3MHz
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+118.83 грн
8+ 48.64 грн
25+ 43.85 грн
26+ 33.18 грн
70+ 31.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
BD442G BD442G Виробник : ONSEMI BD436-8,BD440-2.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 36W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 36W
Case: TO225
Current gain: 15...475
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+142.6 грн
5+ 60.61 грн
25+ 52.62 грн
26+ 39.81 грн
70+ 37.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
BD442G BD442G Виробник : ON Semiconductor bd438-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BD442G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003590541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BD442G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BD442G
Код товару: 171246
bd438-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
BD442G BD442G Виробник : ON Semiconductor bd438-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
BD442G BD442G Виробник : onsemi bd438-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 36 W
товар відсутній