![BD442G BD442G](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2014/7/7/20/16/28/268/ons_/manual/mje344.jpg)
BD442G ON Semiconductor
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 27.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD442G ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 4A TO126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-126, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 36 W.
Інші пропозиції BD442G за ціною від 24.18 грн до 142.6 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BD442G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 36 W |
на замовлення 924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BD442G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BD442G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BD442G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 36W; TO225 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 4A Power dissipation: 36W Case: TO225 Current gain: 15...475 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 3MHz |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BD442G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 36W; TO225 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 4A Power dissipation: 36W Case: TO225 Current gain: 15...475 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 3MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 119 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BD442G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
BD442G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BD442G Код товару: 171246 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
BD442G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BD442G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 36 W |
товар відсутній |