![BD435G BD435G](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/158262e5c1667dc619e02acb9e952cc4f1d457bc/mje344.jpg)
BD435G ON Semiconductor
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 23.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD435G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 32V 4A TO126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-126, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 36 W.
Інші пропозиції BD435G за ціною від 24.55 грн до 29.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BD435G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 36 W |
на замовлення 5095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
BD435G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
BD435G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
BD435G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
BD435G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 36 W |
товар відсутній |
|||||
![]() |
BD435G | Виробник : onsemi |
![]() |
товар відсутній |