![BD241CG BD241CG](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/2075447-40.jpg)
BD241CG ONSEMI
![1916278.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ONSEMI - BD241CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
19+ | 43.39 грн |
22+ | 36.28 грн |
100+ | 27.83 грн |
500+ | 23.52 грн |
1000+ | 18.83 грн |
5000+ | 18.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD241CG ONSEMI
Description: ONSEMI - BD241CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції BD241CG за ціною від 21.46 грн до 59.56 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BD241CG | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 1294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BD241CG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 300µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 40 W |
на замовлення 763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BD241CG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
BD241CG | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
BD241CG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BD241CG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BD241CG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |