BD237G ON Semiconductor
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 38.35 грн |
| 17+ | 36.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD237G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BD237G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-225AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BD237G за ціною від 19.61 грн до 73.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BD237G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BD237G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 2A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 25 W |
на замовлення 901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BD237G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BD237G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 2A 80V 25W NPN |
на замовлення 2399 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BD237G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD237G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 2 A, 25 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-225AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BD237G Код товару: 190177 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
BD237G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BD237G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2A; 25W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 2A Power dissipation: 25W Case: TO225 Current gain: 40 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 3MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BD237G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2A; 25W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 2A Power dissipation: 25W Case: TO225 Current gain: 40 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 3MHz |
товар відсутній |