BD180G ON Semiconductor
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 26.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD180G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BD180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-225AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BD180G за ціною від 20.37 грн до 72.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BD180G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BD180G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BD180G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W PNP |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BD180G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 1A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 30 W |
на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BD180G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-225AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BD180G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
BD180G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BD180G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BD180G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BD180G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BD180G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 3A; 30W; TO126 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 3A Power: 30W Case: TO126 Mounting: THT Frequency: 3MHz |
товар відсутній |