BCX56H6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7000+ | 14.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCX56H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT89, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: PG-SOT89, Grade: Automotive, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BCX56H6327XTSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BCX56H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
BCX56H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
|
 |
BCX56H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 2W Case: SOT89 Mounting: SMD Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
BCX56H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PG-SOT89 Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|
 |
BCX56H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS |
товар відсутній |
|
|
|
BCX56H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 2W Case: SOT89 Mounting: SMD Frequency: 100MHz |
товар відсутній |