BCX55H6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 11130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 59+ | 10.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCX55H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT89, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: PG-SOT89, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 2 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BCX55H6327XTSA1 за ціною від 11 грн до 19.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BCX55H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 11130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BCX55H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BCX55H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 2W Case: SOT89 Mounting: SMD Frequency: 100MHz |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BCX55H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 2W Case: SOT89 Mounting: SMD Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 53 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BCX55H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
BCX55H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
BCX55H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
BCX55H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
BCX55H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PG-SOT89 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |