Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BCX5516E6327HTSA1
BCX5516E6327HTSA1

BCX5516E6327HTSA1 Infineon Technologies

INFNS17217-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT89-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT89-4-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3463+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 3463
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCX5516E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: TRANS NPN 60V 1A SOT89-4, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: PG-SOT89-4-2, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 2 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BCX5516E6327HTSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BCX5516E6327HTSA1 BCX5516E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies bcx54_bcx55_bcx56.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній