![BCR583E6327 BCR583E6327](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4254/MFG_BZB84-B20215.jpg)
BCR583E6327 Infineon Technologies
![INFNS10861-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 839042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4418+ | 4.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR583E6327 Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 330 mW, Frequency - Transition: 150 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BCR583E6327 за ціною від 4.09 грн до 28.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BCR583E6327 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 150MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ |
на замовлення 339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCR583E6327 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 150MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 339 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BCR 583 E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 24560 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|