![BCR555E6327 BCR555E6327](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/E0/6F/B0/00/1/783886_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new_render3d.png&wat_scale=100p&ci_sign=53a9483b00423785bfa262542fe924f68ccc28c8)
BCR555E6327 INFINEON TECHNOLOGIES
![BCR555.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Frequency: 150MHz
Case: SOT23
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Power dissipation: 0.33W
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.5A
Collector-emitter voltage: 50V
Mounting: SMD
на замовлення 3519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 7.99 грн |
100+ | 5.69 грн |
199+ | 4.31 грн |
546+ | 4.07 грн |
3000+ | 4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR555E6327 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 330 mW, Frequency - Transition: 150 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.
Інші пропозиції BCR555E6327 за ціною від 3.81 грн до 29.05 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BCR555E6327 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 2.2kΩ Frequency: 150MHz Case: SOT23 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Power dissipation: 0.33W Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Type of transistor: PNP Collector current: 0.5A Collector-emitter voltage: 50V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3519 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BCR555E6327 | Виробник : Infineon | PNP SOT23 Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 2.2 kOhm R2= 10 kOhm), Vce=50V, Ic=500mA, hfemin=70, Ptot=330 mW |
на замовлення 8055 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCR 555 E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 132 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCR555E6327 Код товару: 125158 |
Транзистори > Біполярні PNP |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
BCR 555 E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 330 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
товар відсутній |