BCR503E6327HTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18000+ | 3.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR503E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BCR503E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: BCR503 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BCR503E6327HTSA1 за ціною від 3.85 грн до 373.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCR503E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 330 mW Frequency - Transition: 100 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCR503E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCR503E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCR503E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BCR503E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BCR503 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 12080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCR503E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 2.2kΩ Mounting: SMD Power dissipation: 0.33W Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Frequency: 100MHz Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 2.2kΩ Type of transistor: NPN Case: SOT23 Collector current: 0.5A |
на замовлення 11034 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCR503E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 2.2kΩ Mounting: SMD Power dissipation: 0.33W Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Frequency: 100MHz Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 2.2kΩ Type of transistor: NPN Case: SOT23 Collector current: 0.5A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11034 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCR503E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 330 mW Frequency - Transition: 100 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms |
на замовлення 18631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCR503E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Digital Transistors AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 500MA |
на замовлення 9015 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCR503E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BCR503E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BCR503 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 12080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCR503E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCR503E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCR503E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BCR503E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |