BCR35PNH6433XTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20000+ | 4.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR35PNH6433XTMA1 Infineon Technologies
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 150MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: PG-SOT363-PO, Part Status: Last Time Buy.
Інші пропозиції BCR35PNH6433XTMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BCR35PNH6433XTMA1 | Виробник : Infineon |
 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| BCR35PNH6433XTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN / PNP Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 50V Frequency: 150MHz Case: SOT363 Kind of transistor: BRT; complementary pair Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
BCR35PNH6433XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
BCR35PNH6433XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Last Time Buy |
товару немає в наявності |
|
| BCR35PNH6433XTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN / PNP Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 50V Frequency: 150MHz Case: SOT363 Kind of transistor: BRT; complementary pair Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ |
товару немає в наявності |