![BCR35PNH6327 BCR35PNH6327](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/79/DF/E0/00/0/982423_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new_render3d.png&wat_scale=100p&ci_sign=c9f5e92adfa38add86c7289bc92c125cc5076da4)
BCR35PNH6327 INFINEON TECHNOLOGIES
![BCR35PNH6327.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SOT363
Polarisation: bipolar
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Frequency: 150MHz
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 10kΩ
Type of transistor: NPN / PNP
Base-emitter resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 21.45 грн |
60+ | 6.59 грн |
100+ | 6 грн |
150+ | 5.76 грн |
410+ | 5.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR35PNH6327 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 150MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: PG-SOT363-6, Part Status: Active.
Інші пропозиції BCR35PNH6327 за ціною від 5.32 грн до 39.28 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BCR35PNH6327 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Case: SOT363 Polarisation: bipolar Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 50V Frequency: 150MHz Kind of transistor: BRT; complementary pair Base resistor: 10kΩ Type of transistor: NPN / PNP Base-emitter resistor: 47kΩ Power dissipation: 0.25W кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2090 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BCR 35PN H6327 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-6 Part Status: Active |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BCR 35PN H6327 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9088 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|