BCR169WH6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR169WH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT323, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms.
Інші пропозиції BCR169WH6327XTSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BCR169WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R |
товар відсутній |
|
 |
BCR169WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms |
товар відсутній |
|
| BCR169WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR |
товар відсутній |