BCR166E6327HTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 530+ | 1.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR166E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 160 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Інші пропозиції BCR166E6327HTSA1 за ціною від 1.17 грн до 1.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BCR166E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
BCR166E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
BCR166E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
|
|
BCR166E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
| BCR166E6327HTSA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 69000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
|
|
BCR166E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||
|
|
BCR166E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||
 |
BCR166E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 160 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
товар відсутній |
|||||
|
|
BCR166E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 160 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
товар відсутній |
|||||
 |
BCR166E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR |
товар відсутній |