BCR158E6327HTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR158E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Інші пропозиції BCR158E6327HTSA1 за ціною від 0.94 грн до 4.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCR158E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
BCR158E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| BCR158E6327HTSA1 | Виробник : Infineon |
PNP 50V 100mA 200mW BCR158E6327 BCR158E6327HTSA1 BCR158 INF TBCR158 кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1640 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
|
|
BCR158E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||
 |
BCR158E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
товар відсутній |
|||||||||
 |
BCR158E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Digital Transistors PNP Silicon Digital TRANSISTOR |
товар відсутній |