BCR148E6433HTMA1

BCR148E6433HTMA1 Infineon Technologies


216-12876-0-bcr148w1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 280000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR148E6433HTMA1 Infineon Technologies

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 100 MHz, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

Інші пропозиції BCR148E6433HTMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BCR148E6433HTMA1 BCR148E6433HTMA1 Виробник : Infineon Technologies 216-12876-0-bcr148w1.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BCR148E6433HTMA1 BCR148E6433HTMA1 Виробник : Infineon Technologies 216-12876-0-bcr148w1.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BCR148E6433HTMA1 BCR148E6433HTMA1 Виробник : Infineon Technologies bcr148series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a373011440144ad602b8 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 100 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
BCR148E6433HTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BCR148SERIES-DS-v01_01-en-1225438.pdf Digital Transistors NPN Silicon Digital Transistor
товар відсутній