BCR148E6327HTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR148E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 100 MHz, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Інші пропозиції BCR148E6327HTSA1 за ціною від 2.64 грн до 26.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCR148E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BCR148E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BCR148E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BCR148E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 100 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BCR148E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
BCR148E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
BCR148E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 100 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
BCR148E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR |
товар відсутній |