BCR141SH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR141SH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 130MHz, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: PG-SOT363-PO.
Інші пропозиції BCR141SH6327XTSA1 за ціною від 5.28 грн до 7.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCR141SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363Packaging: Tube Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO |
на замовлення 35596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BCR141SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 390000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BCR141SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BCR141SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BCR141SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
BCR141SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
BCR141SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR |
товар відсутній |