![BCR08PNH6433XTMA1 BCR08PNH6433XTMA1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/4866fcad6f9648b650b0c1ceed6cdff9f20de8f2/sot_363_.jpg_472149771.jpg)
BCR08PNH6433XTMA1 Infineon Technologies
![bcr08pn.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 6.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR08PNH6433XTMA1 Infineon Technologies
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 170MHz, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: PG-SOT363-PO.
Інші пропозиції BCR08PNH6433XTMA1 за ціною від 4.19 грн до 10.23 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BCR08PNH6433XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BCR08PNH6433XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
BCR08PNH6433XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
BCR08PNH6433XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
BCR08PNH6433XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 170MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO |
товар відсутній |