BCP56-16 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.6 W
Description: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 5.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCP56-16 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: STMICROELECTRONICS - BCP56-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BCP56-16 за ціною від 2.73 грн до 61.32 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BCP56-16 | Виробник : STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Pulsed collector current: 0.2A Current gain: 100...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 3075 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Pulsed collector current: 0.2A Current gain: 100...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 3075 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: BJT SOT223 80V 1000MA NPN 2W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: SOT-223 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.6 W |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
Description: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: SOT-223 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.6 W |
на замовлення 3898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.6W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1.6W Case: SOT223 Current gain: 40...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1256 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-223, 80V, 1000mA, NPN |
на замовлення 6025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - BCP56-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.6W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1.6W Case: SOT223 Current gain: 40...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1256 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Voltage |
на замовлення 6845 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: BJT SOT223 80V 1000MA NPN 2W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: SOT-223 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.6 W |
на замовлення 7477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : SLKOR |
Transistor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BCP5616TA; BCP5616TC; BCP56-16,115; BCP56-16,135; BCP56-16T1G; BCP56-16T3G; BCP56-16-TP; BCP5616H6327XTSA1; BCP56-16 SLKOR TBCP5616 SLK кількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : SLKOR |
Transistor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BCP5616TA; BCP5616TC; BCP56-16,115; BCP56-16,135; BCP56-16T1G; BCP56-16T3G; BCP56-16-TP; BCP5616H6327XTSA1; BCP56-16 SLKOR TBCP5616 SLK кількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : YY |
Transistor NPN; 250; 1,35W; 80V; 1A; 180MHz; -55°C~150°C; BCP56-16 TBCP5616 c кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1570 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : YFW |
Transistor NPN; 250; 1,35W; 80V; 1A; 180MHz; -55°C~150°C; BCP56-16 TBCP5616 c кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : Anbon Semiconductor | NPN Transistor |
на замовлення 372500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: BJT SOT223 80V 1000MA NPN 2W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.3 W |
на замовлення 3691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : STMicroelectronics NV | TRANS NPN 80V 1A SOT-223 |
на замовлення 3409 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BCP5616 | Виробник : ZETEX | 06+; |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : Diodes Incorporated | BCP56-16 TRANS NPN 80V 1A SOT223 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BCP5616 | Виробник : ON |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BCP5616 | Виробник : Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : Nexperia | Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: BJT NPN 80V 1A 1.5W SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: BJT NPN 80V 1A 1.5W SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: BJT SOT223 80V 1000MA NPN 2W Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.3 W |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223 Current gain: 100...250 Mounting: SMD Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BCP56-16 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223 Current gain: 100...250 Mounting: SMD Frequency: 100MHz |
товар відсутній |