![BCP56-10T1G BCP56-10T1G](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/accd52967ad9d8ab8470e9a44e86b94769617969/3sot-223.jpg)
BCP56-10T1G ON Semiconductor
на замовлення 146000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1561+ | 7.72 грн |
36000+ | 7.06 грн |
72000+ | 6.57 грн |
108000+ | 5.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCP56-10T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BCP56-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BCP56 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BCP56-10T1G за ціною від 5.97 грн до 46.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BCP56-10T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 355000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCP56-10T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCP56-10T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCP56-10T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCP56-10T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCP56-10T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCP56-10T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP56 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 18732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCP56-10T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 5058 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCP56-10T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5058 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCP56-10T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCP56-10T1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 5916 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCP56-10T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP56 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 18732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCP56-10T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 7204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BCP56-10T1G |
![]() |
на замовлення 96 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
BCP56-10T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |