на замовлення 8906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1538+ | 4.51 грн |
3000+ | 4.38 грн |
6000+ | 4.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCP53-10,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BCP53-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BCP53, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 145MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BCP53-10,115 за ціною від 4.04 грн до 35.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BCP53-10,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 8906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP53-10,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP53-10,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 80V 1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP53-10,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP53-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP53 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP53-10,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 1W; SC73,SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1W Case: SC73; SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 145MHz |
на замовлення 1116 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP53-10,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 1W; SC73,SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1W Case: SC73; SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 145MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1116 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP53-10,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 80V 1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 4511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP53-10,115 | Виробник : Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCP53-10/SOT223/SC-73 |
на замовлення 2027 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP53-10,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP53-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP53 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP53-10,115 | Виробник : NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BCP53-10,115 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BCP53-10,115 | Виробник : NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
товар відсутній |