BCM847BV,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-666
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 7.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCM847BV,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BCM847BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 300 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 290hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 250MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 300mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BCM847BV,115 за ціною від 6.05 грн до 34.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCM847BV,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCM847BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 300 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 290hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 250MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 300mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCM847BV,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 2681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCM847BV,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Matched Pair Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-666 |
на замовлення 7072 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCM847BV,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 2681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCM847BV,115 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT NRND for Automotive Applications BCM847BV/SOT666/SOT6 |
на замовлення 3811 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCM847BV,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCM847BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 300 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 290hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 250MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 300mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCM847BV,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BCM847BV,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BCM847BV,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 300mW; SOT666 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SOT666 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| BCM847BV,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 300mW; SOT666 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SOT666 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz |
товар відсутній |