BC859B,215 Nexperia
на замовлення 16897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3861+ | 0.97 грн |
| 6000+ | 0.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC859B,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - BC859B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: -, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC859B,215 за ціною від 1.01 грн до 13.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC859B,215 | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC859B,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 159000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC859B,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 68712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC859B,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 159000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC859B,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 68712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC859B,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 16897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC859B,215 | Виробник : NXP Semiconductors |
Description: NEXPERIA BC859B - SMALL SIGNAL B Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9498000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC859B,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.25W Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 220...475 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC859B,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.25W Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 220...475 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC859B,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC859B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: - rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC859B,215 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC859B/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 23198 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC859B,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC859B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: - rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BC859B,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
BC859B,215 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |