BC858CLT1G

BC858CLT1G ON Semiconductor


bc856alt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+0.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC858CLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC858CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BC858CLT1G за ціною від 0.56 грн до 10.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14706+0.82 грн
Мінімальне замовлення: 14706
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.12 грн
45000+ 0.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.2 грн
45000+ 0.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.49 грн
6000+ 1.36 грн
9000+ 1.16 грн
30000+ 1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4839+2.49 грн
7353+ 1.64 грн
7895+ 1.53 грн
8621+ 1.35 грн
15000+ 1.17 грн
Мінімальне замовлення: 4839
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - BC858CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 27610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 500
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
105+5.71 грн
127+ 4.72 грн
138+ 4.35 грн
242+ 2.38 грн
257+ 2.08 грн
500+ 1.98 грн
1000+ 1.3 грн
3000+ 1.22 грн
6000+ 1.11 грн
Мінімальне замовлення: 105
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
56+7.02 грн
69+ 5.29 грн
145+ 2.51 грн
500+ 1.6 грн
685+ 1.22 грн
1885+ 1.16 грн
Мінімальне замовлення: 56
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 49822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
37+8.27 грн
49+ 5.94 грн
100+ 3.19 грн
500+ 2.35 грн
1000+ 1.63 грн
Мінімальне замовлення: 37
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+8.42 грн
42+ 6.59 грн
100+ 3.01 грн
500+ 1.92 грн
685+ 1.47 грн
1885+ 1.39 грн
Мінімальне замовлення: 34
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : onsemi BC856ALT1_D-2310425.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
на замовлення 32514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
36+9.08 грн
49+ 6.64 грн
118+ 2.36 грн
1000+ 1.46 грн
3000+ 1.25 грн
45000+ 0.83 грн
Мінімальне замовлення: 36
BC858CLT1G BC858CLT1G Виробник : ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - BC858CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 27610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
78+10.06 грн
105+ 7.49 грн
256+ 3.06 грн
500+ 2.78 грн
Мінімальне замовлення: 78
BC858CLT1G Виробник : ON-Semicoductor bc856alt1-d.pdf Tranzystor: PNP; bipolarny; 30V; 0,1A; 250mW; SOT23 BC858CLT3G BC858CLT1G ONS TBC858c ONS
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+0.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BC858CLT1G Виробник : ONSEMI ONSMS38162-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BC858CLT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 174190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 15000
BC858CLT1G (SOT-23, ON)
Код товару: 150832
Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній