Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC858BWT1G
BC858BWT1G

BC858BWT1G ON Semiconductor

bc856bwt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 17640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15464+0.78 грн
Мінімальне замовлення: 15464
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC858BWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BC858BWT1G за ціною від 0.72 грн до 13.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 17640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
313+1.91 грн
455+ 1.31 грн
825+ 0.72 грн
Мінімальне замовлення: 313
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : onsemi bc856bwt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.26 грн
6000+ 2.06 грн
9000+ 1.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013684673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 500
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2799+4.31 грн
2913+ 4.14 грн
4099+ 2.94 грн
5416+ 2.15 грн
6000+ 1.94 грн
15000+ 1.83 грн
30000+ 1.78 грн
Мінімальне замовлення: 2799
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
54+11.1 грн
78+ 7.66 грн
79+ 7.57 грн
148+ 3.9 грн
250+ 3.57 грн
500+ 3.29 грн
1000+ 2.34 грн
3000+ 1.77 грн
6000+ 1.73 грн
Мінімальне замовлення: 54
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : onsemi BC856BWT1_D-2310301.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
на замовлення 17869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+12.09 грн
39+ 8.23 грн
100+ 3.89 грн
1000+ 2.71 грн
3000+ 2.09 грн
9000+ 1.67 грн
24000+ 1.39 грн
Мінімальне замовлення: 27
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : onsemi bc856bwt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 17979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+12.78 грн
33+ 8.91 грн
100+ 4.81 грн
500+ 3.55 грн
1000+ 2.46 грн
Мінімальне замовлення: 24
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013684673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
59+13.41 грн
85+ 9.2 грн
163+ 4.81 грн
500+ 2.84 грн
Мінімальне замовлення: 59
BC858BWT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0000773985-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BC858BWT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 65500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 15000
BC858BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BC858BWT1G Виробник : ON bc856bwt1-d.pdf 07+;
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : ONSEMI bc856bwt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 150...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : ONSEMI bc856bwt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 150...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товар відсутній