Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC858BLT1G
BC858BLT1G

BC858BLT1G ON Semiconductor

bc856alt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 572955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17046+0.71 грн
Мінімальне замовлення: 17046
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC858BLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BC858BLT1G за ціною від 0.52 грн до 9.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.38 грн
6000+ 1.25 грн
9000+ 1.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ONSEMI 1840529.pdf Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 500
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
56+7.04 грн
85+ 4.28 грн
163+ 2.24 грн
500+ 1.56 грн
706+ 1.2 грн
1939+ 1.14 грн
Мінімальне замовлення: 56
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
81+7.41 грн
127+ 4.73 грн
267+ 2.24 грн
1000+ 1.51 грн
3000+ 0.85 грн
9000+ 0.78 грн
24000+ 0.52 грн
Мінімальне замовлення: 81
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 25538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+7.54 грн
54+ 5.44 грн
100+ 2.93 грн
500+ 2.16 грн
1000+ 1.5 грн
Мінімальне замовлення: 40
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 572955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
78+7.73 грн
121+ 4.95 грн
256+ 2.34 грн
1000+ 1.58 грн
3000+ 0.88 грн
9000+ 0.82 грн
24000+ 0.56 грн
Мінімальне замовлення: 78
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 68852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
76+7.92 грн
100+ 7.62 грн
250+ 7.05 грн
500+ 6.75 грн
1000+ 6.74 грн
3000+ 6.73 грн
6000+ 6.72 грн
Мінімальне замовлення: 76
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : onsemi BC856ALT1_D-2310425.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
на замовлення 25350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+8.29 грн
61+ 5.29 грн
125+ 2.23 грн
1000+ 1.53 грн
3000+ 1.12 грн
9000+ 0.98 грн
24000+ 0.77 грн
Мінімальне замовлення: 40
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+8.44 грн
51+ 5.34 грн
100+ 2.68 грн
500+ 1.87 грн
706+ 1.44 грн
1939+ 1.36 грн
Мінімальне замовлення: 34
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 68852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1425+8.48 грн
1428+ 8.47 грн
3000+ 8.46 грн
6000+ 8.14 грн
15000+ 7.52 грн
30000+ 7.21 грн
Мінімальне замовлення: 1425
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ONSEMI 1840529.pdf Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
86+9.15 грн
133+ 5.9 грн
279+ 2.81 грн
500+ 2.56 грн
Мінімальне замовлення: 86
BC858BLT1G bc856alt1-d.pdf BC858BLT1G Транзисторы
на замовлення 104 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
BC858BLT1G bc856alt1-d.pdf BC858BLT1G Транзисторы
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BC858BLT1G BC858BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній