Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC857CWT1G
BC857CWT1G

BC857CWT1G ON Semiconductor

bc856bwt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 47882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11628+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 11628
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC857CWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC857CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BC857CWT1G за ціною від 0.91 грн до 10.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BC857CWT1G BC857CWT1G Виробник : onsemi bc856bwt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.78 грн
6000+ 1.62 грн
9000+ 1.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BC857CWT1G BC857CWT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013684673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC857CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 500
BC857CWT1G BC857CWT1G Виробник : ONSEMI bc856bwt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
91+4.33 грн
173+ 2.11 грн
190+ 1.92 грн
227+ 1.6 грн
250+ 1.45 грн
500+ 1.34 грн
689+ 1.23 грн
Мінімальне замовлення: 91
BC857CWT1G BC857CWT1G Виробник : ONSEMI bc856bwt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
55+5.2 грн
104+ 2.62 грн
114+ 2.3 грн
136+ 1.93 грн
250+ 1.74 грн
500+ 1.6 грн
689+ 1.47 грн
Мінімальне замовлення: 55
BC857CWT1G BC857CWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 47882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
82+7.33 грн
146+ 4.11 грн
148+ 4.05 грн
254+ 2.28 грн
257+ 2.08 грн
500+ 1.98 грн
1000+ 1.54 грн
3000+ 0.99 грн
6000+ 0.98 грн
Мінімальне замовлення: 82
BC857CWT1G BC857CWT1G Виробник : onsemi BC856BWT1_D-2310301.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP
на замовлення 60471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
44+7.56 грн
77+ 4.17 грн
130+ 2.16 грн
1000+ 1.67 грн
3000+ 1.25 грн
9000+ 1.12 грн
24000+ 0.91 грн
Мінімальне замовлення: 44
BC857CWT1G BC857CWT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013684673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC857CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
94+8.37 грн
167+ 4.68 грн
290+ 2.71 грн
500+ 2.46 грн
Мінімальне замовлення: 94
BC857CWT1G BC857CWT1G Виробник : onsemi bc856bwt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 21766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+10.55 грн
42+ 7.04 грн
100+ 3.8 грн
500+ 2.8 грн
1000+ 1.94 грн
Мінімальне замовлення: 29
BC857CWT1G BC857CWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
BC857CWT1G BC857CWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
BC857CWT1G BC857CWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
BC857CWT1G BC857CWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній