Продукція > ONSEMI > BC857CDW1T1G
BC857CDW1T1G

BC857CDW1T1G onsemi

bc856bdw1t1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.45 грн
6000+ 2.19 грн
9000+ 1.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC857CDW1T1G onsemi

Description: ONSEMI - BC857CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, PNP, 45 V, 100 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, Verlustleistung, PNP: 250mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 420hFE, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BC857CDW1T1G за ціною від 1.19 грн до 17.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : ONSEMI 2140510.pdf Description: ONSEMI - BC857CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, PNP, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
Verlustleistung, PNP: 250mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 420hFE
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 500
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2809+4.3 грн
4110+ 2.94 грн
5556+ 2.18 грн
9000+ 1.44 грн
Мінімальне замовлення: 2809
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
41+14.77 грн
64+ 9.35 грн
150+ 3.99 грн
1000+ 2.63 грн
3000+ 1.8 грн
9000+ 1.19 грн
Мінімальне замовлення: 41
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : onsemi bc856bdw1t1-d.pdf Description: TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 23460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.08 грн
31+ 9.58 грн
100+ 4.69 грн
500+ 3.67 грн
1000+ 2.55 грн
Мінімальне замовлення: 20
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : onsemi BC856BDW1T1_D-2310270.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 10093 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+15.85 грн
31+ 10.5 грн
100+ 3.76 грн
1000+ 2.58 грн
3000+ 2.02 грн
9000+ 1.67 грн
24000+ 1.6 грн
Мінімальне замовлення: 21
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : ONSEMI 2140510.pdf Description: ONSEMI - BC857CDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, PNP, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 250mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 420hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
45+17.67 грн
66+ 11.88 грн
141+ 5.55 грн
500+ 3.93 грн
Мінімальне замовлення: 45
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G
Код товару: 40507 		bc856bdw1t1-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.2A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : ONSEMI bc856bdw1t1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 20 шт
товар відсутній
BC857CDW1T1G BC857CDW1T1G Виробник : ONSEMI bc856bdw1t1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товар відсутній