![BC857BWT1G BC857BWT1G](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/5E/66/D0/00/0/878309_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=8ee56e45011a14303f2906c7990038cca271071e)
BC857BWT1G ONSEMI
![bc856bwt1-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 150...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
200+ | 2.22 грн |
250+ | 1.58 грн |
500+ | 1.38 грн |
650+ | 1.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC857BWT1G ONSEMI
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 150 mW.
Інші пропозиції BC857BWT1G за ціною від 0.72 грн до 10.57 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() +1 |
BC857BWT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 150...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC857BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC857BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC857BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC857BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC857BWT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC857BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 52975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC857BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 572764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC857BWT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 21962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC857BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 52975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BC857BWT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 25242 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC857BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
BC857BWT1G | Виробник : NXP/Nexperia/We-En |
![]() |
на замовлення 240 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|