Продукція > NEXPERIA > BC857BMB,315
BC857BMB,315

BC857BMB,315 Nexperia

bc857xmb_ser.pdf Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC857BMB,315 Nexperia

Description: NEXPERIA - BC857BMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006B, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: DFN1006B, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC857xMB, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції BC857BMB,315 за ціною від 1.53 грн до 20.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BC857BMB,315 BC857BMB,315 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0006011396-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC857BMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: DFN1006B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857xMB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 19403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.6 грн
1000+ 2.31 грн
5000+ 2.26 грн
Мінімальне замовлення: 500
BC857BMB,315 BC857BMB,315 Виробник : Nexperia USA Inc. BC857XMB_SER.pdf Description: TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT883
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 6938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.83 грн
27+ 10.89 грн
100+ 5.31 грн
500+ 4.16 грн
1000+ 2.89 грн
2000+ 2.5 грн
5000+ 2.29 грн
Мінімальне замовлення: 20
BC857BMB,315 BC857BMB,315 Виробник : Nexperia BC857XMB_SER-1319031.pdf Bipolar Transistors - BJT BC857BMB/SOT883B/XQFN3
на замовлення 490191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+18.13 грн
35+ 9.22 грн
100+ 4.11 грн
1000+ 2.65 грн
2500+ 2.37 грн
10000+ 1.67 грн
20000+ 1.53 грн
Мінімальне замовлення: 18
BC857BMB,315 BC857BMB,315 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0006011396-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC857BMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: DFN1006B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857xMB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 19403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
39+20.09 грн
76+ 10.32 грн
155+ 5.05 грн
500+ 3.6 грн
1000+ 2.31 грн
5000+ 2.26 грн
Мінімальне замовлення: 39
BC857BMB,315 BC857BMB,315 Виробник : NEXPERIA bc857xmb_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BC857BMB,315 BC857BMB,315 Виробник : Nexperia bc857xmb_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BC857BMB,315 BC857BMB,315 Виробник : Nexperia bc857xmb_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BC857BMB,315 BC857BMB,315 Виробник : Nexperia bc857xmb_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R
товар відсутній
BC857BMB,315 BC857BMB,315 Виробник : Nexperia USA Inc. BC857XMB_SER.pdf Description: TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
товар відсутній