BC857BHZGT116 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.63 грн |
| 6000+ | 1.49 грн |
| 9000+ | 1.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC857BHZGT116 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BC857BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BC857BHZGT116 за ціною від 1.13 грн до 9.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC857BHZGT116 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - BC857BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC857BHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC857BHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC857BHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC857BHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTOR ( Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SST3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 200 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 13832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC857BHZGT116 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - BC857BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC857BHZGT116 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP SOT-23 -0.1A 210 to 480hFE -45V |
на замовлення 13610 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC857BHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BC857BHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
BC857BHZGT116 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 210...480 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BC857BHZGT116 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 210...480 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz |
товар відсутній |