BC856BWT1G

BC856BWT1G ON Semiconductor


bc856bwt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 336000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+0.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC856BWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BC856BWT1G за ціною від 0.91 грн до 10.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 336000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.11 грн
18000+ 1.03 грн
30000+ 0.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 336000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10205+1.18 грн
18000+ 1.11 грн
30000+ 0.97 грн
Мінімальне замовлення: 10205
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7426+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 7426
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : onsemi bc856bwt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.73 грн
6000+ 1.57 грн
9000+ 1.34 грн
30000+ 1.16 грн
75000+ 1.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6788+1.78 грн
9000+ 1.63 грн
18000+ 1.51 грн
27000+ 1.37 грн
Мінімальне замовлення: 6788
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 22998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6173+1.96 грн
6250+ 1.93 грн
6881+ 1.76 грн
7654+ 1.52 грн
8621+ 1.25 грн
15000+ 1.05 грн
Мінімальне замовлення: 6173
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ONSEMI 2028689.pdf Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 500
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 22998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
101+5.97 грн
158+ 3.8 грн
160+ 3.76 грн
327+ 1.77 грн
330+ 1.62 грн
500+ 1.54 грн
1000+ 1.4 грн
3000+ 1.26 грн
6000+ 1.12 грн
Мінімальне замовлення: 101
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ONSEMI bc856bwt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.3W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
46+8.6 грн
68+ 5.37 грн
130+ 2.81 грн
500+ 1.84 грн
629+ 1.36 грн
1729+ 1.28 грн
Мінімальне замовлення: 46
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : onsemi bc856bwt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 79988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+9.8 грн
43+ 6.82 грн
100+ 3.68 грн
500+ 2.72 грн
1000+ 1.89 грн
Мінімальне замовлення: 31
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ONSEMI bc856bwt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.3W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28+10.32 грн
41+ 6.69 грн
100+ 3.37 грн
500+ 2.21 грн
629+ 1.63 грн
1729+ 1.54 грн
3000+ 1.51 грн
Мінімальне замовлення: 28
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : onsemi BC856BWT1_D-2310301.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
на замовлення 37682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+10.57 грн
48+ 6.73 грн
100+ 2.79 грн
1000+ 1.67 грн
3000+ 1.39 грн
9000+ 1.05 грн
24000+ 0.98 грн
Мінімальне замовлення: 31
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ONSEMI 1750584.pdf Description: ONSEMI - BC856BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
72+10.87 грн
106+ 7.42 грн
225+ 3.49 грн
500+ 3.17 грн
Мінімальне замовлення: 72
BC856BWT1G BC856BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)