Продукція > NEXPERIA > BC856BQB-QZ
BC856BQB-QZ

BC856BQB-QZ Nexperia

BC856XQB_Q_SER-2721657.pdf Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BC856BQB-Q/SOT8015/DFN1110D-3
на замовлення 4554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+18.94 грн
26+ 12.58 грн
100+ 6.97 грн
1000+ 3.14 грн
5000+ 2.65 грн
10000+ 2.02 грн
25000+ 1.67 грн
Мінімальне замовлення: 18
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC856BQB-QZ Nexperia

Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR IN DFN PACK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: DFN1110D-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 340 mW, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BC856BQB-QZ за ціною від 1.76 грн до 17.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BC856BQB-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC856XQB-Q_SER.pdf Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR IN DFN PACK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 340 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+2.67 грн
10000+ 2.13 грн
25000+ 2.09 грн
50000+ 1.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BC856BQB-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC856XQB-Q_SER.pdf Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR IN DFN PACK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 340 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 84579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+17.34 грн
26+ 11.25 грн
100+ 5.51 грн
500+ 4.31 грн
1000+ 3 грн
2000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 18
BC856BQB-QZ BC856BQB-QZ Виробник : Nexperia bc856xqb-q_ser.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 420mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
товар відсутній
BC856BQB-QZ Виробник : NEXPERIA bc856xqb-q_ser.pdf BC856BQB-Q/SOT8015/DFN1110D-3
товар відсутній