BC856BMYL Nexperia
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40000+ | 1.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC856BMYL Nexperia
Description: NEXPERIA - BC856BMYL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-883, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BC856BMYL за ціною від 1.46 грн до 17.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC856BMYL | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC856BMYL | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856BMYL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC856BMYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 60V 0.1A SOT883 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-883 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 6820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC856BMYL | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC856BM/SOT883/XQFN3 |
на замовлення 2091 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC856BMYL | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856BMYL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC856BMYL | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| BC856BMYL | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856BMYL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BC856BMYL | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 250mW; DFN1006-3,SOT883 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: DFN1006-3; SOT883 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
BC856BMYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 60V 0.1A SOT883 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-883 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 250 mW |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BC856BMYL | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 250mW; DFN1006-3,SOT883 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: DFN1006-3; SOT883 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |